M01600 - SEMI M16 - Specification for Polycrystalline Silicon StdTpc-Sensor Actuator Network may interfere with plating or

may interfere with plating or solder dip finishing operations

choked flow parameters

本仕様は， CMOS大規模集積回路（LSI： large scale integrated circuit）デバイス用の薄膜シリコン・オン・インシュレーター（SOI： silicon-on-insulator）ウェーハの要求条件を規定するものである。本仕様は，130nm技術ノード以降（65nm，45nm等）のLSI用200mmおよび300mmウェーハを対象としている。150mmウェーハの場合には，旧来のLSI世代も含まれる。パラメータ，検査手順および受入基準を規定することにより，サプライヤと顧客双方が，製品の特性および品質要求条件を一貫して定義するのがよい。

SEMI M49-0412 (technical revision)

M01600 - SEMI M16 - Specification for Polycrystalline Silicon StdTpc-Sensor Actuator Network may interfere with plating orThis Specification is intended for use in procurement of polycrystalline silicon for growth of electronic grade monocrystalline silicon ingots. Such ingots are sliced into wafers that are subsequently used for the production of semiconductor devices, integrated circuits, and other microelectronic components including microelectromechanical systems (MEMS). This Specification covers requirements for polycrystalline silicon (poly) used to produce single